率先突破HBM封装关键技术,芯片制造迎来新局面_SPS2026智能制造展(原siaf展)

国内封测龙头华天科技在2026年开年迎来了景气周期，目前已经全面承接住了全球AI算力扩张带来的市场红利，凭借的是其在先进封装领域的前瞻性布局与技术突破。
华天科技是国内少数能覆盖传统封装至先进封装全场景的企业，在2.5D/3D封装、HBM（高带宽存储器）封装等前沿领域都有所突破！技术水平已经达到了国际先进标准，打破了海外企业在高端封装领域的长期垄断。
HBM封装在AI算力需求爆发的背景下已成为行业竞争焦点，华天科技通过和上游晶圆厂、芯片设计公司的联合创新，率先突破HBM封装关键技术，深度协同封装技术和国产AI芯片发展！
在存储封测领域，公司已实现全面覆盖主流产品：DDR5、LPDDR5X、SSD/eSSD等。支持1y/1z nm至1β nm先进工艺节点，年均开案超200件，自主研发的eMCP封装技术将产品厚度控制在0.92/1.09mm。

HBM封装的关键点位在哪？为什么难以突破？
一、关键点位
TSV（硅通孔）技术：

在DRAM芯片上垂直打孔实现多层堆叠互联，孔径需控制在微米级，对刻蚀精度要求极高。
微凸点互连：

层间连接点间距仅40-50μm，需精准对位和可靠焊接，凸点高度、共面性控制难度大。
中介层（Interposer）：

作为HBM与逻辑芯片的转接层，需集成数万条布线，信号完整性、热膨胀匹配是核心。
散热设计：

多层堆叠导致热密度激增，需通过硅通孔、散热微凸点等实现高效导热。

二、突破难点原因
工艺极限挑战：

TSV深宽比、微凸点尺寸已接近现有设备极限，良率提升困难。
材料匹配问题：

芯片、中介层、基板热膨胀系数差异大，易产生热应力导致失效。
测试验证复杂：

多层堆叠后无法单独测试每层芯片，故障定位和修复成本高。
成本与良率平衡：

先进封装设备投资巨大，单点缺陷即导致整颗芯片报废，量产良率提升缓慢。

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来源：广州光亚法兰克福展览有限公司

2026广州国际智能制造技术与装备展览会（SPS–Smart Production Solutions Guangzhou, 前称SIAF）即将于2026年3月04-06日在中国进出口商品交易会展馆（广交会展馆）举行。展会将与母展德国智能生产解决方案展览会（SPS）同步，融入SPS品牌全球网络的行业资源。2026 SPS广州智能制造展将以“深耕工业自动化，成就多元产业应用”为主题，汇聚前沿的控制技术，电气驱动及运动控制、传感技术、连接技术、人机界面装置、工业通讯、工业软件及信息技术、机械基础设施、智能装备及系统集成、机器人技术等，同时结合数字化转型发展，聚焦智能制造，推动制造业向数字化、网络化、智能化发展，助力中国制造业在新质生产力的推动下迎来更加广阔的发展空间。

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